최근 삼성은 한국에서 파운드리 기술 포럼을 개최했으며 삼성 반도체의 제조 공정을 발표했습니다

올해 9월 경기도 화성의 7nm EUV 공정 라인이 완공될 예정이며, 내년 1월 부터 양산에 들어갑니다

삼성은 7nm 공정 이후 5nm FinFET 공정을 도입할 예정이며, 이미 기술 개발이 완료된 상황입니다

5nm 공정은 FinFET 공정의 마지막 세대로 간주됩니다

이후에 공정은 3nm 공정이며 GAA(Gate-All-Around) 기술을 사용합니다.

한줄요약 = 5나노 개발 완료.

5나노는 7나노보다

면적은 25%감소

전력효율 20% 향상

성능 10% 향상